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"La ciencia avanza a pasos, no a saltos"

jueves, agosto 31, 2006

 

¿Necesitan resistencias las puertas de los transistores MOSFET?

La respuesta es rotundamente no. Es posible controlar un MOSFET sin necesidad de colocar una resistencia en medio.

Entonces, ¿porqué encontramos algunas veces una resistencia de bajo valor óhmico en la puerta de un MOSFET? ¿Acaso limita la corriente como en los transistores bipolares?

Esa resistencia no limita la corriente como en los transistores bipolares, sino que tiene otros efectos que se explicarán más adelante. Para poder conducir un MOSFET se debe aplicar una tensión que supere a la tensión umbral (un minimo comprendido entre 2 y 4 voltios). Para que pueda funcionar en conmutación, la tensión de drenador debe ser mayor que la tensión de puerta menos la tensión umbral.

El porqué de la resistencia se debe al tiempo de conmutación de los transistores MOSFET y sus efectos parasitos. Estamos hablando de la capacidad puerta-drenador y de la inductancia de drenador. Ambos parásitos forman un circuito de carga y descarga que realentiza el paso a ON del transistor y produce un circuito oscilante que produce fuertes oscilaciones en la puerta. Por eso se coloca una resistencia capaz de amortiguar dicha oscilación.

Un valor común para dicha resistencia suele ser unos 1o o 25 ohmios. Con esto se conseguirá una conmutación rápida aunque el impulso siga siendo subamortiguado. Al aumentar la resistencia se alcanza que el pulso sea sobreamortiguado, pero también aumenta el tiempo de conmutación.

La cosa no acaba aquí, porque todavía pueden surgir problemas en el paso a OFF del transistor. Para acelerar el paso a corte es preciso sacar la carga de la puerta cuanto antes. Si la etapa que excita el transistor (por ejemplo, puente en H) es de tipo Push-Pull, esta se encargará de extraer la carga cuanto antes. Si no, se necesita añadir una resistencia de unos 10 k entre puerta y masa.

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